Expédition neutre en CO21 Traitement facile des retours
Aide et contact
Expédition neutre en CO21
Traitement facile des retours
Aide et contact

Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive (Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White)

Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
L'illustration peut être différente de l'original.
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
Mushkin 32 Go ECC DDR4-3600 Kit, Mémoire vive Blanc, MRD4E360GKKP16GX2, Redline ECC White
€ 195,90
TVA comprise et frais d'expédition en sus à partir de€ 9,98
Détails

Détails
Evaluez maintenant
En stock
ComparerComparer
PartagerPartager

Distinctions

Description du produit

Mémoire interne: 32 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 2 x 16 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 3600 MHz, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 16, ECCnuméro d'article 1782640

Détails

TypeDDR4 SDRAM
CouleurBlanc
EAN0846651032386
Référence du fabricantMRD4E360GKKP16GX2
SérieRedline ECC White
Capacité32 Go (2 x 16 Go)
Modules2 pièce
ConceptionDIMM
Connexionbroche 288
Tension1,4 Voltage
NormeDDR4-3600 (PC4-28800)
Horloge physique 1800 MHz
TimingsCAS Latency (CL)16
RAS-CAS delay (tRCD)19
Temps RAS Precharge (tRP) 19
Temps d'activité (EMR) de la ligne39
Plus d'informationsLa DDR4 est l’évolution de la DDR3 et offre un certain nombre d’innovations et d’avantages par rapport à son prédécesseur, tels que la consommation d’énergie jusqu’à 40 % inférieure, des vitesses plus élevées, une densité de données plus élevée (permet des modules de mémoire d’une capacité allant jusqu’à 128 Go, jusqu’à 512 Go à l’avenir) et une stabilité de fonctionnement améliorée grâce à des techniques avancées de correction d’erreurs telles que CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (détection de parité sur puce) et « Adressabilité par DRAM ».